超声波改性尼龙66抛光机的抛光流程：
1.固定：将单晶硅棒固定在加工台上。
2.切片：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄改性尼龙66切片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
3.退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，改性尼龙66切片表面和氧气发生反应，使改性尼龙66切片表面形成二氧化硅?；げ?。
4.倒角：将退火的改性尼龙66切片进行修整成圆弧形，防止改性尼龙66切片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
5.分档检测：为保证改性尼龙66切片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。
6.抛光：用磨片剂除去切片和机磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶改性尼龙66切片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片剂。
7.清洗：通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除改性尼龙66切片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机溶剂。
8.RCA清洗：通过多道清洗去除改性尼龙66切片表面的颗粒物质和金属离子。
9.磨片检测：检测经过抛光、RCA清洗后的改性尼龙66切片的质量，不符合要求的则从新进行抛光和RCA清洗。
10.腐蚀A/B：经切片及抛光等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。蚀A是酸性腐蚀，用混酸溶液去除损伤层，产生氟化氢、NOX和废混酸；腐蚀B是碱性腐蚀，用氢氧化钠溶液去除损伤层，产生废碱液。本项目一部分改性尼龙66切片采用腐蚀A，一部分采用腐蚀B。
11.分档监测：对改性尼龙66切片进行损伤检测，存在损伤的改性尼龙66切片重新进行腐蚀。
12.粗抛光：使用一次抛光剂去除损伤层，一般去除量在10~20um。此处产生粗抛废液。
13.精抛光：使用精磨剂改善改性尼龙66切片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下，从而的到高平坦度改性尼龙66切片。产生精抛废液。
14.检测：检查改性尼龙66切片是否符合要求，如不符合则从新进行抛光或RCA清洗。
15.检测：查看改性尼龙66切片表面是否清洁，表面如不清洁则从新刷洗，直至清洁。
16.包装：将单晶硅抛光片进行包装。
